Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2003

Идентификатор DOI: 10.1016/S0167-9317(03)00300-9

Журнал: Microelectronic Engineering

Выпуск журнала: Т. 69, № 2-4

Номера страниц: 216-220

ISSN журнала: 01679317

Издатель: Elsevier Science Publishing Company, Inc.

• Potseluyko A. (L.V. Kirensky Institute of Physics,Russian Academy of Sciences-SB)
• Edelman I. (L.V. Kirensky Institute of Physics,Russian Academy of Sciences-SB)
• Zamkov A. (L.V. Kirensky Institute of Physics,Russian Academy of Sciences-SB)
• Zaitsev A. (L.V. Kirensky Institute of Physics,Russian Academy of Sciences-SB)
• Malakhovskii A. (Department of Chemistry,Bar-Ilan University)
• Yeshurun Y. (Department of Physics,Bar-Ilan University)
• Zarubina T. (S.I. Vavilov Optical State Institute)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)