INTERACTION OF DISORDERED REGIONS WITH POINT-DEFECTS IN N-TYPE SILICON

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1978

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR

Выпуск журнала: Vol. 12, Is. 6

Номера страниц: 656-658

ISSN журнала: 00385700

Место издания: WOODBURY

Издатель: AMER INST PHYSICS

Персоны

  • BOLOTOV V.V. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • VASILEV A.V. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • KOZHEVNIKOV V.P. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • SMAGULOVA S.A. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • SMIRNOV L.S. (KRASNOYARSK STATE UNIV)

Вхождение в базы данных