Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2010
Ключевые слова: resistivity, Single crystal silicon, Four-point probe method, удельное электрическое сопротивление, монокристаллический кремний, четырехзондовый метод
Аннотация: Описан новый прибор, позволяющий в автоматическом режиме измерять распределение удельного электрического сопротивления по поверхности пластины монокристаллического кремния диаметром до 200 мм. Измерение основано на четырех зондовом методе. The new instrument «Rometr», designed to measure the electroresisti- vity distribution over tПоказать полностьюhe surface of crystal silicon with 200 mm diameter, is described. The measurement is based on four-point probe method.
Журнал: Измерительная техника
Выпуск журнала: № 5
Номера страниц: 51-53
ISSN журнала: 03681025
Место издания: Москва
Издатель: Всероссийский научно-исследовательский институт метрологической службы