Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций
Конференция: Institute-of-Physics Conference on Microscopy of Semiconducting Materials 1995; OXFORD UNIV, OXFORD, ENGLAND; OXFORD UNIV, OXFORD, ENGLAND
Год издания: 1995
Ключевые слова: SEMICONDUCTORS, MICROSCOPE
Аннотация: The chemistry of decomposition of doped II-VI compounds is examined under ion beam and electron beam irradiation. Assignment of moire fringes exhibited by displaced particles against possible reaction products indicates preferential anion expulsion from n-type material and accelerated oxidation.
Журнал: MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1995
Выпуск журнала: Vol. 146
Номера страниц: 431-434
ISSN журнала: 09513248
Место издания: BRISTOL
Издатель: IOP PUBLISHING LTD