Перевод названия: TUNNELING SPECTROSCOPY AND ELECTRON ENERGY LOSS SPECTROSCOPY IN SiO 2

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2015

Ключевые слова: silicon dioxide, Scanning tunneling spectroscopy, Electron energy loss spectroscopy, диоксид кремния, сканирующая туннельная спектроскопия, спектроскопия характеристических потерь энергии электронов

Аннотация: Для развития ракетно-космической отрасли необходимо внедрение наноматериалов и устройств наноэлектроники. При характеризации полупроводниковых и диэлектрических наноматериалов одним из наиболее значимых параметров является величина ширины запрещённой зоны. В данной работе ширина запрещённой зоны SiO 2 была измерена с помощью сканирПоказать полностьюующей туннельной спектроскопии и спектроскопии потерь энергии отражённых электронов. The integration of nanomaterials and nanoelectronic devices is necessary to develop the space industry. The band gap determination is one of the most important objects in the characterization of semiconducting and dielectric nanomaterials. In this paper, the band gap of SiO 2 is determined using a scanning tunneling spectroscopy and electron energy loss spectroscopy.

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1, № 19

Номера страниц: 519-520

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

• Зайкова К.Н. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
• Игуменов А.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
• Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
• Михлин Ю.Л. (Институт химии и химической технологии СО РАН)
• Пчеляков О.П. (Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН)

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)