1. Главная
  2. Публикации
  3. An automatic device for measuring resistivity of the silicon four-point probe method : научное издание

An automatic device for measuring resistivity of the silicon four-point probe method : научное издание

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2009

Ключевые слова: automatic device, Single-crystalline silicon, resistivity, Four-point probe method

Аннотация: An automatic device for measuring the resistivity of single-crystalline silicon by means of the four-point probe method has been developed.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: № 5

Номера страниц: 25-27

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева"

Персоны

  • Vladimirov V.M. (Krasnoyarsk Science Centre of the Siberian Branch of Russian Academy of Science)
  • Shepov V.N. (Krasnoyarsk Science Centre of the Siberian Branch of Russian Academy of Science)
  • Grinin E.F. (LLC NPF Elektron, Russia, Krasnoyarsk)
  • Sergiy M.E. (Special Engineering Design Office Nauka the Krasnoyarsk Scientific Centre, RussianAcademy of Sciences, Siberian Branch, Russia, Krasnoyarsk)

Вхождение в базы данных