Перевод названия: AUTOMATIC DEVICE FOR MEASURING RESISTIVITY OF SILICON FOUR-POINT PROBE METHOD
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2009
Ключевые слова: автоматизированный измеритель, automatic device, Single-crystalline silicon, resistivity, Four-point probe method, монокристаллический кремний, удельное электросопротивление, четырехзондовый метод
Аннотация: Разработан автоматизированный измеритель удельного электросопротивления монокристаллического кремния четырехзондовым методом. An automatic device for measuring the resistivity of single-crystalline silicon by means of the four-point probe method had been developed.
Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева
Выпуск журнала: № 4
Номера страниц: 42-45
ISSN журнала: 18169724
Место издания: Красноярск
Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева"