Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2015

Аннотация: Спектры потерь энергии отраженных электронов получены для серии образцов Si, приготовленных при различных технологических условиях, имеющих разную кристаллографическую ориентацию. Из этих экспериментальных спектров вычислены зависимости произведения средней длины неупругого пробега и дифференциального сечения неупругого рассеяния эПоказать полностьюлектронов от потерь энергии электронов. Предложен метод анализа спектров сечения неупругого рассеяния электронов посредством моделирования экспериментальных спектров с помощью трехпараметрических универсальных функций сечения Тоугаарда. Результаты моделирования применены для определения природы пиков потерь и расчета поверхностного параметра.

Журнал: Физика и техника полупроводников

Выпуск журнала: Т. 49, № 4

Номера страниц: 435-439

ISSN журнала: 00153222

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

• Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия)
• Игуменов А.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия)
• Михлин Ю.Л. (Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия)
• Пчеляков О.П. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия)
• Никифоров А.И. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия)
• Тимофеев В.А. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК