Перевод названия: INFLUENCE OF IMPURITIES ON RATE OF DIFFUSION OF LITHIUM IN CRYSTAL SILICON
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2011
Ключевые слова: литий, Lithium-ion accumulators, silicon, ab initio calculations, diffusion, литий-ионные аккумуляторы, кремний, первопринципные расчеты, диффузия
Аннотация: Квантово-химическим методом DFT исследовано влияние атомов примесей (Al, B, C, Ge, P) на скорость диффузии лития в кристаллическом кремнии. Для этого произведен расчет величин потенциальных барьеров для переходов атома лития между потенциальными минимумами вблизи атомов примеси. Показано, что наличие атомов Al и Ge вблизи атома литПоказать полностьюия снижает высоту энергии перехода на 0,02-0,07 эВ, а присутствие атомов углерода или бора увеличивает энергию перехода на 0,14-0,17 эВ. При этом атомы фосфора не вносят существенного вклада в величину энергии перехода. Вычисленные коэффициенты диффузии показывают, что внесение примесных атомов Al и Ge в кремний ускоряет диффузию лития в ~4 раза при Т = 300 К. Influence of impurity atoms (Al, B, C, Ge, P) on rate of diffusion of lithium in crystal silicon is investigated by DFT calculations. For that potential barrier values for lithium atom passage between potential minimum nearby impurity atom have been calculated. It is shown the presence of Al or Ge atoms near lithium atom decreases the potential barrier value at 0,02-0,07 eV, but the presence of C or B atoms increases the barrier value at 0,14-0,17 eV. And the presence of P atoms does not influence on the potential barrier value. The calculated lithium diffusion rates show that injection of Al or Ge atoms into silicon increase the lithium diffusion rate at ~4 times at 300 K.
Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева
Выпуск журнала: № 3
Номера страниц: 146-150
ISSN журнала: 18169724
Место издания: Красноярск
Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева