Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2020
Идентификатор DOI: 10.1134/S1063785020070135
Ключевые слова: iron silicide, ferromagnet, semiconductor structures, hanle effect, spin accumulation, electric spin injection, ferromagnet/semiconductor structures
Аннотация: The electrical injection of the spin-polarized current into silicon in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure is demonstrated. The spin accumulation effect is examined by measuring the local and nonlocal voltage in a special four-terminal device. The observed effect of the electric bias on the spin signal is discussed and compared withПоказать полностьюthe results obtained for ferromagnet/semiconductor structures.
Журнал: TECHNICAL PHYSICS LETTERS
Выпуск журнала: Vol. 46, Is. 7
Номера страниц: 665-668
ISSN журнала: 10637850
Место издания: NEW YORK
Издатель: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER