Перевод названия: Solid state memory modules for on-board equipment of small satellites
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2015
Ключевые слова: контроллер, electronic devices, Flash memory controller, error correction codes, электронная аппаратура, Flash память, коды коррекции ошибок
Аннотация: Рассмотрены основные виды отказов, возникающих в интегральных схемах под воздействием ионизирующего излучения, и технологии повышения устойчивости интегральных схем к дестабилизирующим факторам космического пространства, в том числе применение изолирующих подложек, перспективные технологии в организации ячеек памяти и основные схемПоказать полностьюотехнические и технологические приемы защиты. Предложено частное решение по реализации твердотельного накопителя большой емкости для применения в составе бортовой аппаратуры малых космических аппаратов, которое базируется на использовании коммерческой NAND Flash памяти со встроенным спецстойким контроллером, обеспечивающим коррекцию ошибок, восстановление и обход пораженных областей в режиме динамического самовосстановления. Показано, что за счет применения комплекса мер, включающих использование специальных корпусов, достигается требуемый уровень противодействия проникающей радиации. Embedded memory modules are part of the special electronic equipment that designed for the needs of the aerospace industry, are exposed to destabilizing factors of space (DFOS). The greatest negative impact of DFOS is observed under the influence of ionizing radiation (IR). There are many of approaches used to improve the reliability of ICs that are operating in the space environment. For example, technology design, circuit design and design solutions. However, increasing complexity of designing and growing demands for unification electronic equipment causes the development of new methods of design and architectural organization of mass storage devices for applications with a sufficient level of protection against DFOS. The development of memory modules with high performance, low power consumption and with a slight increase the occupied area of the crystal for provide adequate radiation resistance is requires. Solution can be found in the application of commercial NAND Flash memory with the original, resistant controller, which provides SEC-DED-DAEC coding error recovery and control of bad blocks. The body of storage device is made of a homogeneous metal. NAND Flash memory provides the maximum amount of memory with minimum weight and size, low power consumption and cost, that enough to low flight ICA. Resistance to DFOS provided by a complex action that implemented in hardware, through a specialized controller implemented as a resistant VLSI with protective shield. As a result of the research, a solution for the problem of architectural organization NAND Flash controller with error detection and correction is suggested. In addition, the proposed approach allows implementing a memory capacity more than 100 GB with adequate level of counteraction against DFOS.
Журнал: Наукоемкие технологии
Выпуск журнала: Т. 16, № 3
Номера страниц: 71-76
ISSN журнала: 19998465
Место издания: Москва
Издатель: Закрытое акционерное общество Издательство Радиотехника