Перевод названия: PROCESS OF MANUFACTURE OF FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH SCOTT GATE MADE OF GALLIUM ARSENIDE
Тип публикации: патент
Год издания: 1996
Аннотация: Использование: изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов. Сущность: металлизацию электродов (истока, стока и затвора) транзистора осуществляют химическим осаждением из растворов селективно через фоторезистивную контактную маску. В качестве материала затвора используют покрытие, выполненное из аморфногоПоказать полностью, тугоплавкого сплава никель-палладий-фосфор, который осаждают из никельпалладиевой ванны при температуре 96-99oC и рН 9-10. FIELD: electronics. SUBSTANCE: invention relates to technology of manufacture of semiconductor devices. Metallization of electrodes (source, drain and gate) is conducted by chemical selective precipitation from solution through photoresistive contact mask. Coating made of amorphous refractory nickel-palladium-phosphorus alloy which is precipitated from nickel- palladium bath at temperature 96-99 C and pH 9.0-10.0 is used as material of gate. EFFECT: facilitated manufacture.