Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2012
Аннотация: Отмечено, что развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Установлено, что структурные дефекты подложки, проникающие при последующем гомоэпитаксиальном росте в эпитаксиальный слой, способны значительно ухудшить характеристики приборов. Проведено исследование вПоказать полностьюлияния деформации монослоя гексагонального SiC на стабильность вакансий и свойства материала, а также изучение процессов миграции адатомов кремния и углерода по поверхности SiC.
Журнал: Журнал физической химии
Выпуск журнала: Т. 86, № 7
Номера страниц: 1207
ISSN журнала: 00444537
Место издания: Москва
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"