Effect of the Semiconductor Spacer on Positive Exchange Bias in the CoNi/Si/FeNi Three-Layer Structure

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2019

Идентификатор DOI: 10.1134/S0021364019050126

Аннотация: Films consisting of a hard magnetic ferromagnet CoNi and a soft magnetic ferromagnet FeNi interacting through a nonmagnetic Si semiconductor spacer are experimentally studied. The temperature and field dependences of the magnetic properties of film struct

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: JETP Letters

Выпуск журнала: Vol. 109, Is. 5

Номера страниц: 320-324

Издатель: Pleiades Publishing

Авторы

  • Patrin G.S. (Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia; Russian Acad Sci, Fed Res Ctr KSC, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia)
  • Turpanov I.A. (Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia)
  • Yushkov V.I (Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia; Russian Acad Sci, Fed Res Ctr KSC, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia)
  • Kobyakov A.V (Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia; Russian Acad Sci, Fed Res Ctr KSC, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia)
  • Patrin K.G. (Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia)
  • Yurkin G.Yu (Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia)
  • Zhivaya Ya A. (Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia)

Вхождение в базы данных