ОСОБЕННОСТИ ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИХ И ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ SnO 2 C ДОБАВКАМИ MnO 2 И CuO

Описание

Перевод названия: FEATURES OF PHYSICAL-MECHANICAL AND HIGH-TEMPERATURE ELECTRIC PROPERTIES OF CERAMIC SEMICINDUCTOR BASED ON SnO 2 WITH MnO 2 AND CuO ADDITIVE AGENTS

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2012

Ключевые слова: керамика, диоксид олова, ceramic, tin oxide, conductivity, currant-voltage characteristic, электропроводность, вольт-амперная характеристика

Аннотация: Синтезированы керамические полупроводниковые материалы на основе диоксида олова с добавками MnO 2 и CuO. Температуры синтеза были 1300 и 1400 °С. Проведены исследования физико-механических и электрофизических свойств. Показано, что при повышении температуры обжига для материала, полученного при использовании MnO 2, происходит сущесПоказать полностьютвенное улучшение спекания. Наилучшими электрофизическими характеристиками обладают образцы состава 96 % SnO 2 - 2 % Sb 2O 3 - 2 % CuO, полученные при температуре обжига 1300 °С (УЭС 0,09 мОм-м). УЭС состава 94 % SnO 2 - 2 % Sb 2O 3 - 2 % CuO - 2 % MnO 2 в высокотемпературной области выше в 3 раза. Для состава 96 % SnO 2 - 2 % Sb 2O 3 - 2 % MnO 2 вольт-амперная характеристика имеет нелинейный вид и присутствует гистерезис. Ceramic semiconductors based on SnO 2 with MnO 2 and CuO additive agents were synthesized. Synthesis temperature was 1300 and 1400 °С. Physical-mechanical and high-temperature electric properties investigation were performed. It is revealed that increase of synthesis temperature for materials with MnO 2, provides for their better agglomeration. Compositions 96 % SnO 2 - 2 % Sb 2O 3 - 2 % CuO, obtained at 1300 °С, have the best electro-physical properties. Resistance of 94 % SnO 2 - 2 % Sb 2O 3 - 2 % CuO - 2 % MnO 2 in high temperature field is 3 times higher. 96 % SnO 2 - 2 % Sb 2O 3 - 2 % MnO 2 have nonlinear currant-voltage characteristic.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: 1

Номера страниц: 118-122

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Персоны

Вхождение в базы данных