ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТЕРМОРЕГУЛИРУЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ, ВОЗНИКАЮЩИХ В ПРОЦЕССЕ ХРАНЕНИЯ, МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ : научное издание

Описание

Перевод названия: RESAERCH OF SEMICONDUCOR THERMOBALANCE COVER DEFECTS WHICH APPEARS DURING OF CONSERVAION BY X-RAY PHOTOELECRON SPECTROSCOPY METHOD

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2010

Аннотация: Исследовано полупроводниковое терморегулирующее покрытие с возникшим дефектом в виде пятен на поверхности изделия. Исследование проводилось методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. In this work the semiconductor thermobalance cover with spot defects on surface sample is investigated. The research was carried by x-ray phПоказать полностьюotoelectron spectroscopy method.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 2, 14

Номера страниц: 596-597

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Персоны

  • Тихомиров Р.Е. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Александрова Г.А. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Харламов В.А. (ОАО «Информационные спутниковые системы» имени академика М. Ф. Решетнева»)
  • Чернятина А.А. (ОАО «Информационные спутниковые системы» имени академика М. Ф. Решетнева»)
  • Ермолаев Р.А. (ОАО «Информационные спутниковые системы» имени академика М. Ф. Решетнева»)
  • Михлин Ю.Л. (Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук)

Вхождение в базы данных