Перевод названия: Generation and accumulation of vacancies in a crystal grown up from melt
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2009
Ключевые слова: crystal, vacancy, Interstitial atom, crystallization, кристалл, вакансия, междоузельный атом, кристаллизация
Аннотация: Предложена модель образования вакансий в кристалле, выращиваемом из расплава, в результате его неплотной упаковки при кристаллизации. Рассчитана зависимость концентрации вакансий от скорости вытягивания слитка из расплава v, градиента температур на фронте кристаллизации G и параметров диффузионно-дрейфового переноса вакансий в горяПоказать полностьючей зоне кристалла. Показано, что вакансионный рост кристалла происхо- дит, если параметр Воронкова Е = The model of the vacancies formation in a crystal grown up from melt, as a result of its leaky packing at crystallization is offered. The dependence of the vacancies concentration from growth rate of an ingot from melt (vc), a gradient of temperatures at the front of crystallization (G) and parameters of diffusion and drift carrying over of vacancies in a hot zone of a crystal is calculated. It is shown that the vacancy crystal growth occurs, if Voronkov parameter ?, is c Si, where ? is -
Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева
Выпуск журнала: № 3
Номера страниц: 14-16
ISSN журнала: 18169724
Место издания: Красноярск
Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева