Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2014
Аннотация: Двухкомпонентные структуры GexSi1-x (0=q x=q1) исследованы методами электронной спектроскопии. Атомный состав структур определен из спектров рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Спектры потерь энергии отраженных электронов получены для серии образцов с разными значениями x при энергии первичных электронов в интервале от 200Показать полностьюдо 3000 эВ. Из этих экспериментальных спектров вычислены зависимости произведения средней длины неупругого пробега и дифференциального сечения неупругого рассеяния электронов от потерь энергии электронов. Показано, что количественные характеристики этих зависимостей могут быть использованы для определения атомных концентраций элементов данной системы.
Журнал: Физика и техника полупроводников
Выпуск журнала: Т. 48, № 2
Номера страниц: 237-241
ISSN журнала: 00153222
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука