Тип публикации: статья из журнала (материалы конференций, опубликованные в журналах)
Конференция: International Conference on I-VI Compounds and Related Optoelectronic Materials; NEWPORT, RI; NEWPORT, RI
Год издания: 1994
Идентификатор DOI: 10.1016/0022-0248(94)90865-6
Аннотация: Defect microstructures within heteroepitaxial layers may be categorized according to whether they arise due to problems at the epilayer/substrate interface, are introduced during growth itself or are due to some inherent materials problem. Examples taken from II-VI/GaAs systems showing interface reaction, lattice relaxation, bandinПоказать полностьюg due to compositional variations at the growth front and dimorphism are described.
Журнал: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Выпуск журнала: Vol. 138, Is. 1-4
Номера страниц: 538-544
ISSN журнала: 00220248
Место издания: AMSTERDAM
Издатель: ELSEVIER SCIENCE BV