Электронно-микроскопические исследования образования структурных дефектов в ZnS при облучении электронами с энергией 400 keV

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/(001)GaAs, выращенные методом металлоорганической парофазной эпитаксии, после облучения in situ в электронном микроскопе при энергии электронов 400 keV и интенсивности (1-4)·1019 e/cm2·s. Показано, чтПоказать полностьюо при облучении происходит образование мелких дислокационных петель с размерами 2.5-45 nm и плотностью 1.4·1011 cm-2, а также пор и выделений новой фазы с размерами ?10 nm. Выделения могут быть идентифицированы с помощью анализа муарового контраста как ZnO и ZnO2.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т. 58, 12

Номера страниц: 2380-2383

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"

Авторы

  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия)
  • Брильков А.В. (Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия)
  • Мозжерин А.В. (Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия)

Вхождение в базы данных