Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2016
Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/(001)GaAs, выращенные методом металлоорганической парофазной эпитаксии, после облучения in situ в электронном микроскопе при энергии электронов 400 keV и интенсивности (1-4)·1019 e/cm2·s. Показано, чтПоказать полностьюо при облучении происходит образование мелких дислокационных петель с размерами 2.5-45 nm и плотностью 1.4·1011 cm-2, а также пор и выделений новой фазы с размерами ?10 nm. Выделения могут быть идентифицированы с помощью анализа муарового контраста как ZnO и ZnO2.
Журнал: Физика твердого тела
Выпуск журнала: Т. 58, № 12
Номера страниц: 2380-2383
ISSN журнала: 03673294
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"