Задание температуры при выращивании монокристаллов кремния : научное издание

Описание

Перевод названия: Temperature assignment of silicon monocrystals growing

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2011

Ключевые слова: монокристалл, Monocrystal, task, temperature, growing, silicon, задание, температура, выращивание, кремний

Аннотация: Предложена математическая модель формирования задания температуры на установке выращивания монокристаллов кремния, по способу Чохральского, которая позволяет автоматизировать процесс его ввода в микропроцессорную систему управления установкой. Mathematical expression was offered to form programmed temperature on silicon monocrystalПоказать полностьюgrowing system by Czochralski which allows to automate the process of its introduction in microprocessor control system.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика

Выпуск журнала: 2

Номера страниц: 8-10

ISSN журнала: 20730004

Место издания: Москва

Издатель: Общество с ограниченной ответственностью Издательство Научтехлитиздат

Авторы

  • САХАНСКИЙ С.П. (Сибирский Государственный аэрокосмический Университет)

Вхождение в базы данных