Модель управления температурой при выращивании кремния : научное издание

Описание

Перевод названия: Model of temperature assignment of silicon growing

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2010

Ключевые слова: model, temperature, growing, mono crystal, silicon, модель, температура, выращивание, монокристалл, кремний

Аннотация: Предложена математическая модель формирования задания температуры на установке выращивания монокристаллов кремния по способу Чохральского, которая позволяет автоматизировать процесс его ввода в микропроцессорную систему управления установкой Mathematical model of formation of temperature setting for silicon mono crystal growing sysПоказать полностьюtem by Czochralski method is offered in the article. The model allows to automate the process of its entering to microprocessor control system.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: 3

Номера страниц: 149-153

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Саханский Сергей Павлович (Сибирский государственный аэрокосмический университет академика М. Ф. Решетнева)
  • Баркин Сергей Михайлович (Сибирский государственный аэрокосмический университет академика М. Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных