Развитие технологии получения и исследования пористого кремния

Описание

Перевод названия: Development Technology of Creation and Research Porous Silicon

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2011

Ключевые слова: porous silicon, Silicon structures, Silicon technology, micro- and nanoelectronics, пористый кремний, кремниевые структуры, кремниевые технологии, микро- и наноэлектроника

Аннотация: Работа представляет собой обзор исследований, проведенных в рамках Федеральной целевой программы «Интеграция науки и высшего образования России» студентами и аспирантами под совместным научным руководством преподавателей кафедры «Приборостроение и наноэлектроника» и сотрудников института физики СО РАН в области одного из актуальныхПоказать полностьютехнологических направлений микро- и наноэлектроники - развитии технологии получения пористого кремния. Цель данных исследований состоит в разработке кремниевых материалов и структур, обладающих новыми стабильными свойствами, которые в ближайшем будущем позволят значительно расширить диапазон параметров существующих устройств современной микроэлектроники и будут способствовать созданию оригинальных приборов.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Техника и технологии

Выпуск журнала: Т.4, 1

Номера страниц: 92-112

ISSN журнала: 1999494X

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Сибирский федеральный университет

Авторы

  • Юзова В.А. (Сибирский федеральный университет)
  • Левицкий А.А. (Сибирский федеральный университет)
  • Харлашин П.А. (Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных