Транспортные свойства композитов ВТСП + полупроводник с различной концентрацией носителей

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1997

Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования температурных зависимостей удельного электросопротивления rho(T), плотности критического тока Jc(T), вольт-амперных характеристик поликристаллических композитов на основе высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) Y3/4Lu1/4Ba2Cu3O7 и оксида меди с различной степенью легирования литием. Экспериментальные температурные зависимости критического тока композитов с различным объемным содержанием полупроводникового ингредиента и различной концентрацией носителей заряда находятся в качественном согласии с теорией, рассматривающей андреевское отражение носителей на S--Sm- и Sm--S-поверхностях джозефсоновского S--Sm--S-перехода (где S --- сверхпроводник, Sm --- полупроводник).

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т.39, 5

Номера страниц: 829-834

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Авторы

  • Петров М.И. (Институт физики им. Л.В.Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия)
  • Балаев Д.А. (Институт физики им. Л.В.Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия)
  • Шайхутдинов К.А. (Институт физики им. Л.В.Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия)
  • Хрусталев Б.П. (Институт физики им. Л.В.Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия)
  • Александров К.С. (Институт физики им. Л.В.Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия)

Вхождение в базы данных