Перевод названия: Spectroscopy of the Cross Section of Inelastic Scattering of Electrons in SiO2/Si(100) Layered Systems
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2012
Ключевые слова: electron spectroscopy, cross section of inelastic scattering of electrons, mean free path of electrons, электронная спектроскопия, сечение неупругого рассеяния электронов, длина свободного пробега электрона
Аннотация: Для слоистых структур SiO2/Si(100) из экспериментальных спектров потерь энергии отражённых электронов при разных энергиях первичных электронов получены спектры сечения неупругого рассеяния электронов - произведение средней длины неупругого рассеяния и его дифференциального сечения. Проведено компьютерное моделирование спектров сечеПоказать полностьюния неупругого рассеяния отражённых электронов для слоистых структур с использованием диэлектрической функции материалов плёнки и подложки. Установлено, что толщина слоя SiO2, определённая при сравнении экспериментальных и модельных спектров, согласуется с результатами эллипсометрических измерений. Spectra of the cross section of inelastic scattering of electrons (product of the mean free path of inelastic scattering and its differential cross section) are obtained for SiO2/Si(100) layered structures from experimental spectra of energy losses of reflected electrons with different energies of primary electrons. Computer simulations of the spectra of the cross section of inelastic scattering of reflected electrons for these layered structures are performed with the use of the dielectric function of the film and substrate materials. It is found that the SiO2 layer thickness determined through comparisons of experimental and model spectra agrees with results of ellipsometric measurements.
Журнал: Автометрия
Выпуск журнала: Т. 48, № 4
Номера страниц: 88-92
ISSN журнала: 03207102
Место издания: Новосибирск
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Издательство Сибирского отделения Российской академии наук