Влияние давления на электронную структуру купратов в режиме сильных электронных корреляций

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2007

Аннотация: Исследуются эффекты давления в электронной структуре CuO2 слоя для купратов n- и p-типов. Для расчета был использован обобщенный метод сильной связи, учитывающий влияние сильных электронных корреляций на электронную структуру купратов. Результаты исследования свидетельствуют о наличии нетривиальной зависимости от давления самой природы квазичастичных состояний на потолке валентной зоны в купратах p-типа. С ростом давления дырочные состояния в этих материалах уже не являются синглетными состояниями Жайга-Райса, а приобретают комбинированный синглетно-триплетный характер. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 06-02-16100), а также в рамках программы Президиума РАН "Квантовая макрофизика" и комплексного интеграционного проекта СО РАН N 3.4. PACS: 74.62.Fj, 74.72.-h

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т.49, 4

Номера страниц: 580-583

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Авторы

  • Гавричков В.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия)
  • Овчинников С.Г. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия)
  • Ульм Г.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия)

Вхождение в базы данных