Перевод названия: EVALUATION OF THE CRITICAL RADIUS OF DISLOCATION LOOPS IN SILICON AND GERMANIUM BASED STACKING FAULT ENERGY
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2012
Ключевые слова: transmission electron microscopy, dislocation loop, the critical radius of the dislocation loops, stacking fault energy, просвечивающая электронная микроскопия, дислокационная петля, критический радиус дислокационной петли, энергия дефекта упаковки
Аннотация: Проведена оценка критического радиуса дислокационных петель в монокристаллах кремния и германия с учетом энергии дефекта упаковки (ЭДУ), определенной с использованием методов просвечивающей электронной микроскопии. После идентификации дефектов в монокристаллах производился расчет ЭДУ в кремнии и германии по ширине полоски дефекта уПоказать полностьюпаковки. Полученные значения показали зависимость плотности дефектов от ЭДУ в данных материалах. Также было установлено, что дефекты (главным образом, дислокационные петли) следуют тенденции к резкому сокращению в размерах после некоторого предела. Чтобы установить критические радиусы дислокационных петель, применялась модель частичных дислокационных петель в двух случаях: классическом (с учетом энергий дефекта упаковки дислокационной петли и упругой энергии дислокационной линии) и с учетом формирования частичных дислокаций Шокли. Теоретический расчет критического радиуса в кремнии и германии показал хорошую согласованность с экспериментальными результатами. А в случае с учетом классической модели с частичными дислокациями Шокли установлена прямая зависимость размеров и плотности дислокационных петель от энергии дефекта упаковки. The estimation of the critical radius of dislocation loops in single crystals of silicon and germanium produced in the Krasnoyarsk region in view of stacking fault energy (SFE), defined using the methods of transmission electron microscopy. After the identification of defects in single crystals used for calculating the SFE in silicon and germanium, the width of the strip of stacking fault. The values ??obtained showed the dependence defect density of the SFE in these materials. It was also found that the defects (mainly dislocation loops) follow the trend to a drastic reduction in size after a certain limit. To establish the critical radius of dislocation loops used unfaulting model of dislocation loops in two cases, the classical (including the stacking fault energy of the dislocation loops and the elastic energy of the dislocation line) and taking into account the formation of Shockley partial dislocations. Theoretical calculation of the critical radius in silicon and germanium showed good agreement with experimental results. And in the case with the classical model of Shockley partial dislocations a direct correlation between size and density of dislocation loops from the stacking fault energy.
Журнал: Фундаментальные исследования
Выпуск журнала: № 11-3
Номера страниц: 700-704
ISSN журнала: 18127339
Место издания: Пенза
Издатель: Общество с ограниченной ответственностью "Издательский Дом "Академия Естествознания"