Термооптическое переключение в одномерном фотонном кристалле

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2006

Аннотация: Исследована температурная зависимость спектра пропускания одномерного мультислойного фотонного кристалла с дефектным слоем в центре структуры. В качестве дефекта использован гомеотропно ориентированный слой нематического жидкого кристалла 5ЦБ. Продемонстрирован спектральный сдвиг дефектных мод на 10 nm за счет изменения показателя Показать полностьюпреломления жидкого кристалла при нагреве до изотропной фазы. Сравнение экспериментальных данных с результатами численного анализа показало важность учета затухания дефектных мод. PACS: 42.70.Df, 78.20.-e

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Письма в Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т.32, 21

Номера страниц: 76-83

ISSN журнала: 03200116

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Авторы

  • Гуняков В.А. (Красноярский государственный технический университет Институт физики полупроводников, Новосибирск)
  • Герасимов В.П. (Красноярский государственный технический университет Институт физики полупроводников, Новосибирск)
  • Мысливец С.А. (Красноярский государственный технический университет Институт физики полупроводников, Новосибирск)
  • Архипкин В.Г. (Красноярский государственный технический университет Институт физики полупроводников, Новосибирск)
  • Ветров С.Я. (Красноярский государственный технический университет Институт физики полупроводников, Новосибирск)
  • Камаев Г.Н. (Красноярский государственный технический университет Институт физики полупроводников, Новосибирск)
  • Шабанов А.В. (Красноярский государственный технический университет Институт физики полупроводников, Новосибирск)
  • Зырянов В.Я. (Красноярский государственный технический университет Институт физики полупроводников, Новосибирск)
  • Шабанов В.Ф. (Красноярский государственный технический университет Институт физики полупроводников, Новосибирск)

Вхождение в базы данных