Связанные оптические таммовские состояния на границе фотонного кристалла и нанокомпозита, содержащего частицы с оболочками : научное издание

Описание

Перевод названия: Coupled optical Tamm states at the boundary of a photonic crystal and a nanocomposite consisting of core-shell particles

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Ключевые слова: спектр пропускания, плазмонный резонанс, нанокомпозит, оптическое таммовское состояние, Transmission spectrum, plasmon resonance, nanocomposite, optical Tamm state

Аннотация: Исследуются связанные оптические таммовские состояния, локализованные на краях фотонного кристалла, ограниченного нанокомпозитом. Нанокомпозит состоит из диспергированных в прозрачной матрице сферических наночастиц, имеющих диэлектрическое ядро и металлическую оболочку. Показано, что положение спектральных пиков чувствительно к толПоказать полностьющине крайнего слоя фотонного кристалла. The optical Tamm states localized at both edges of a one-dimensional photonic crystal encloused by a nanocomposite are investigated. The nanocomposite consists of spherical nanoparticles with a dielectric core and a metal shell, which are dispersed in a transparent matrix. It is shown that the position of the spectral peaks is sensitive to the thickness of the outermost layer of the photonic crystal.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Ученые записки физического факультета Московского университета

Выпуск журнала: 5

Номера страниц: 165102

ISSN журнала: 23079665

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова"

Персоны

  • Ветров С.Я. (Институт физики имени Л.В. Киренского СО РАН, ФГАОУ ВПО «Сибирский федеральный университет», институт инженерной физики и радиоэлектроники)
  • Панкин П.С. (Институт физики имени Л.В. Киренского СО РАН, ФГАОУ ВПО «Сибирский федеральный университет», институт инженерной физики и радиоэлектроники)
  • Тимофеев И.В. (Институт физики имени Л.В. Киренского СО РАН, ФГАОУ ВПО «Сибирский федеральный университет», институт инженерной физики и радиоэлектроники)

Вхождение в базы данных