Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Год издания: 2009

Идентификатор DOI: 10.1109/EDM.2009.5173938

Журнал: International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials, EDM - Proceedings

Номера страниц: 92-95

Место издания: Novosibirsk

• Atuchin V.V. (Institute of Semiconductor Physics,SB RAS)
• Gavrilova T.A. (Institute of Semiconductor Physics,SB RAS)
• Kesler V.G. (Institute of Semiconductor Physics,SB RAS)
• Molokeev M.S. (Laboratory of Crystal Physics,Institute of Physics,SB RAS)
• Alexandrov K.S. (Laboratory of Crystal Physics,Institute of Physics,SB RAS)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)