Перевод названия: Electron microscopy study OF stacking fault energy in Silicon
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2011
Ключевые слова: transmission electron microscopy, dislocation, Stacking fault, Defect density, stacking fault energy, просвечивающая электронная микроскопия, дислокация, дефект упаковки, плотность дефектов, энергия дефекта упаковки
Аннотация: Современные технологии позволяют производить кремний очень высокого качества с низким содержание структурных дефектов, однако и сохраняющиеся в нем структурные дефекты могут вносить серьезные изменения в его физико-химические свойства, а в последствии влиять на работу устройств на основе кремния. Поэтому после производства необходиПоказать полностьюмо исследовать кремний на структурные дефекты и определить энергию дефектов, как наиболее важный параметр, указывающий на стойкость материала к образованию дефектов. Modern technologies allow to produce very high quality silicon with a low content of structural defects, however, and continuing structural defects can make a major change in its physical and chemical properties, and subsequently affect the operation of devices based on silicon. Therefore, after the production of silicon is necessary to investigate the structural defects and to determine the energy of the defects as the most important parameter that indicates the material resistance to the formation of defects.
Журнал: Естественные и технические науки
Выпуск журнала: № 3
Номера страниц: 50-53
ISSN журнала: 16842626
Место издания: Москва
Издатель: Общество с ограниченной ответственностью "Издательство "Спутник+"