ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ЛЕГИРОВАННЫХ ПРИМЕСЯМИ МОНОКРИСТАЛЛАХ CdTe, ZnS И ZnSe

Описание

Перевод названия: THE ELECTRON MICROSCOPIC STUDY OF THE DEFECT FORMATION IN THE DOPED SINGLE CRYSTALS CdTe, ZnS AND ZnSe

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2013

Ключевые слова: structural defects, dislocations, precipitates, transmission electron microscopy, semiconductors, структурные дефекты, дислокации, преципитаты, просвечивающая электронная микроскопия, полупроводники

Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы закономерности образования структурных дефектов в легированных и нелегированных полупроводниках CdTe, ZnS и ZnSe, выращенных из газовой фазы. Установлено, что при отжиге в легированных полупроводниках образуются примесные выделения на ростовых дислокациях и дефектах упаковкПоказать полностьюи, при этом происходит перемещение дислокаций. Образование примесных выделений (преципитатов) на ростовых дефектах объясняется миграцией примесей и точечных дефектов на дислокации с формированием пересыщенного твердого раствора, который конденсируется в виде преципитатов, содержащих легирующую примесь. Содержание легирующей примеси в преципитатах подтверждается локальным электронно-зондовым микроанализом. The structural defects formation in the doped and not doped semiconductors CdTe, ZnS and ZnSe grown from the gas phase were investigated by transmission electron microscopy. 1t is found that the annealing of doped semiconductors leads to the formation of impurity precipitates at the grown-in dislocations and stacking faults, that leads to dislocation migration. The precipitate formation at the growth defects due to the migration of point defects and impurities on the dislocation with the formation of a supersaturated solid solution which is condensed in the form of precipitates containing dopant. The content of impurities in precipitates is confirmed by the local electron probe microanalysis.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: 3

Номера страниц: 209-211

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Мозжерин А.В. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Брильков А.В. (Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных