Высокоселективный полосковый фильтр нижних частот с уровнем заграждения более 100 dB в широкой полосе : научное издание

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2020

Идентификатор DOI: 10.21883/PJTF.2020.08.49300.18203

Ключевые слова: low-pass filter, suspended substrate, stripline resonator, wide stopband

Аннотация: Разработана новая миниатюрная конструкция высокоселективного фильтра нижних частот на подвешенной подложке с двусторонним рисунком полосковых проводников. Крутизна склона амплитудно-частотной характеристики фильтра и глубина полосы заграждения определяются нулями коэффициента передачи, число которых равно порядку фильтра. Синтез экспериментального образца фильтра нижних частот пятого порядка на подложке из поликора толщиной 0.5 mm с относительной диэлектрической проницаемостью ε=9.8 проведен на основе численного электродинамического анализа его 3D-модели. Частота среза полосы пропускания фильтра, измеренная по уровню -1 dB, составляет fc=1.75 GHz, а протяженность полосы заграждения по уровню -100 dB достигает величины 4.4fc. Ключевые слова: фильтр нижних частот, подложка, полосковый резонатор, полоса заграждения. A new miniature strucuter of a highly selective low-pass filter (LPF) on a suspended substrate with a double-sided topology of stripline conductors has been proposed. The steepness of the slope of the frequency response of the filter and the depth of the stopband are determined by the zeros of the transmission coefficient, which number is equal to the order of the filter. The synthesis of a fifth-order low-pass filter prototype on a 0.5-mm thick alumina substrate with a relative permittivity εr = 9.8 was performed by numerical electrodynamic analysis of its 3D model. The filter passband cut-off frequency at the level of –1 dB fc = 1.75 GHz, and the length of the stopband at the −100 dB level extends to a frequency of 4.4 fc.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Письма в Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т. 46, 8

Номера страниц: 10-13

ISSN журнала: 03200116

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Персоны

  • Беляев Б.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Сержантов А.М. (Сибирский федеральный университет)
  • Лексиков Ан.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Бальва Я.Ф. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Грушевский Е.О. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Ходенков С.А. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных