Перевод названия: INFLUENCE OF LITHIUM CONCENTRATION ON THE DIFFUSION RATE IN CRYSTALLINE SILICON
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2013
Ключевые слова: silicon, lithium, ab initio calculations, diffusion, кремний, литий, первопринципные расчеты, диффузия
Аннотация: Квантово-химическим методом DFT проведено исследование влияния концентрации лития на высоту потенциального барьера перескока атома лития в кристаллическом кремнии. С использованием этих данных предложен новый метод расчета коэффициента диффузии лития в кристаллическом кремнии при различной концентрации лития SiLi x, где x изменяетсПоказать полностьюя в диапазоне от 0,05 до 0,75. Influence of concentration of lithium on the height of the potential junction barrier of lithium atoms in crystalline silicon was investigated with quantum-chemical DFT method. Using this data, a new method for calculation of lithium diffusion in crystalline silicon was proposed, with different concentrations of lithium SiLi x where x ranges from 0,05 to 0,75.
Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева
Выпуск журнала: № 2
Номера страниц: 225-228
ISSN журнала: 18169724
Место издания: Красноярск
Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева