Исследование влияния концентрации лития на скорость диффузии в кристаллическом кремнии

Описание

Перевод названия: INFLUENCE OF LITHIUM CONCENTRATION ON THE DIFFUSION RATE IN CRYSTALLINE SILICON

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2013

Ключевые слова: silicon, lithium, ab initio calculations, diffusion, кремний, литий, первопринципные расчеты, диффузия

Аннотация: Квантово-химическим методом DFT проведено исследование влияния концентрации лития на высоту потенциального барьера перескока атома лития в кристаллическом кремнии. С использованием этих данных предложен новый метод расчета коэффициента диффузии лития в кристаллическом кремнии при различной концентрации лития SiLi x, где x изменяется в диапазоне от 0,05 до 0,75.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: 2

Номера страниц: 225-228

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Попов З.И. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Федоров А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Кузубов А.А. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Елисеева Н.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных