ИССЛЕДОВАНИЕ В ВЫСОКОВОЛЬТНОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ КИНЕТИКИ ОБРАЗОВАНИЯ АТОМНЫХ И ВАКАНСИОННЫХ СКОПЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ А2В6 ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 400 КЭВ : доклад, тезисы доклада

Описание

Перевод названия: COMPUTER SIMULATION OF THE STRUCTURAL DEFECTS FORMATION IN CADMIUM TELLURIDE

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: Решетневские чтения; Красноярск; Красноярск

Год издания: 2019

Ключевые слова: electron irradiation, semiconductors, high voltage electron microscopy, structural defects, облучение электронами, полупроводники, высоковольтная электронная микроскопия, структурные дефекты

Аннотация: Методами высоковольтной электронной микроскопии исследована кинетика образования атомных и вакансионных скоплений в полупроводниках А2В6 при облучении электронами с энергией 400 кэВ. Определены зависимости радиусов скоплений междоузельных атомов и вакансий в зависимости от времени облучения. Рассчитаны кинетические параметры, такиеПоказать полностьюкак, энергии активации процессов образования атомных и вакансионных скоплений при облучении электронами. Результаты необходимо учитывать при анализе срока активного существования полупроводниковых приборов в условиях космической и земной радиации. The kinetics of the formation of atomic and vacancy clusters in A2B6 semiconductors under irradiation with 400 keV electrons in a high-voltage electron microscope was studied. The dependences of the radii of clusters of interstitial atoms and vacancies depending on the irradiation time are determined. Kinetic parameters, such as the activation energies of the formation of atomic and vacancy clusters upon electron irradiation, were calculated. The results must be taken into account when analyzing the active life of semiconductor devices in space and terrestrial radiation.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Часть 1

Номера страниц: 563-564

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева"

Авторы

  • Логинов Ю. Ю. (Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Мозжерин А. В. (Сибирский федеральный университет)
  • Брильков А. В. (Сибирский федеральный университет)
  • Под редакцией Ю.Ю. Логинова

Вхождение в базы данных