Способ получения покрытия на основе диоксида кремния внутренней поверхности кварцевого изделия

Описание

Перевод названия: METHOD FOR PRODUCING COATING BASED ON SILICON DIOXIDE OF QUARTZ ARTICLE INNER SURFACE

Тип публикации: патент

Год издания: 2017

Аннотация: p num="23"Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к металлургии полупроводников, и предназначено для изготовления кварцевых контейнеров с покрытием из диоксида кремния рабочей поверхности. Способ получения покрытия на основе диоксида кремния на внутренней поверхности кварцевого изделия включает введениеПоказать полностьюв реакционную зону тетрахлорида кремния и воду и осаждение пленки диоксида на упомянутой поверхности. Тетрахлорид кремния и воду вводят в реакционную зону в потоке осушенного воздуха при атмосферном давлении при объемном соотношении тетрахлорида кремния и воды 1:(2÷4). Формирование покрытия в виде диоксида кремния осуществляют в течение 10-30 мин при температуре 23°C и атмосферном давлении с последующей термообработкой при 1150°C в течение 30 мин. Обеспечивается получение покрытия из диоксида кремния на внутренней поверхности кварцевого изделия с малыми затратами энергии и рациональным расходом исходных реагентов. 3 пр./p p num="24"FIELD: metallurgy./p p num="25"SUBSTANCE: method for producing silica-based coating on the inner surface of a quartz article involves introduction of silicon tetrachloride and water into the reaction zone and the deposition of dioxide film on the surface. Silicon tetrachloride and water are introduced into the reaction zone in dried air flow at atmospheric pressure and volume ratio of silicon tetrachloride and water at 1:(2÷4). Formation of the coating in the form of silicon dioxide is carried out for 10-30 minutes at a temperature of 23°C and atmospheric pressure, followed by heat treatment at 1150°C for 30 min./p p num="26"EFFECT: production of silica dioxide coating on the inner surface of quartz article with low energy consumption and reasonable consumption of the initial reagents./p p num="27"3 ex/p

Ссылки на полный текст

Вхождение в базы данных