Перевод названия: MAGNETOIMPEDANCE BASED SENSITIVE ELEMENT
Тип публикации: патент
Год издания: 2015
Аннотация: p num="27"Использование: для создания новых элементов, необходимых для хранения, обработки и передачи данных. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент на основе эффекта магнитоимпеданса включает немагнитную подложку, слой диэлектрика и контакты и имеет СРР геометрию, где в качестве подложки используют n-SiПоказать полностью, в качестве диэлектрика используют SiO2 и металлические электроды в виде полос, нанесенных на SiO2 и нижнюю часть полупроводника n-Si, и поведение магнитоимпеданса обусловлено процессами перезарядки поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник при приложенном к структуре переменном напряжении. Технический результат: обеспечение возможности реализации большой величины МИ эффекта в МДП структуре при использовании СРР геометрии. 4 ил.img src="/get_item_image.asp?id=37436859&img=00000004.JPG" class="img_big"/p p num="28"FIELD: radio engineering, communication./p p num="29"SUBSTANCE: sensitive element based on magnetoimpedance effect includes non-magnetic substrate, dielectric layer and contacts and has SRS geometry where the substrate is n-Si, the dielectric is SiO2 and metal electrodes in the form of strips applied on SiO2 and lower part of n-Si semiconductor, and the magnetoimpedance behaviour is explained by processes of recharge of surface states on the boundary dielectric/semiconductor at the alternating voltage applied to the structure./p p num="30"EFFECT: possibility of achievement of large value of Mie effect in MIS structure when using SRS geometry./p p num="31"4 dwg/p