Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 1996
Ключевые слова: физика твердых тел, микродвойники, гетероэпитаксиальные слои
Аннотация: Методами обычной просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии (ПЭМ и ВРЭМ) исследован ряд эпитаксиальных гетероструктур A2B6/(001)GaAs, имеющих напряжения растяжения в эпитаксиальном слое, сжатия и практически полную компенсацию напряжений несоответствия на границе слоя—подложка. Обнаружено, что в эпитаксиальных слояхПоказать полностьюZnS/GaAs, (Cd,Zn)Te/GaAs и (Cd,Zn)S/GaAs наблюдается анизотропия в распределении таких характерных дефектов, как микродвойники, которые наблюдаются исключительно в проекции [1 10], а их распространение в эпитаксиальном слое хорошо объясняется на основе модели роста. В то же время наблюдение за начальной стадией двойникования в (Hg,Mn)Te позволяет предположить, что деформационные механизмы должны быть также учтены при описании первой стадии формирования микродвойников. Подчеркивается необходимость разделения процессов деформации и роста при образовании микродвойников.
Журнал: Физика твердого тела
Выпуск журнала: Т. 38, № 1
Номера страниц: 284-294
ISSN журнала: 03673294
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук