Влияние межслойных одночастичных перескоков на темпера- туру перехода в сверхпроводящее состояние

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2011

Аннотация: Известно, что для ВТСП купратов существует зависимость температуры перехода в сверхпроводящее состояние от количества СиО2-слоев в элементарной ячейке. Очевидным следствием многослойности является возможность межслойных перескоков. Полагая, что межслойные перескоки задаются параметром <i>t</i>?<i> </i>(k) = <i>t</i>?<i> </i>(cos(fca,) - cos(ky))2, на примере двухслойного купрата мы получаем спектр квазичастичных возбуждений в сверхпроводящем состоянии в рамках <i>t --- t' --- t" --- t</i>?<i> ---</i> Ј*-модели в рамках обобщенной теории среднего поля. Оказалось, что межслойные перескоки не создают дополнительного механизма куперовского спаривания и не повышают <i>Т</i><i>c</i><i>. </i>На концентрационной зависимости температуры перехода в сверхпроводящее состояние межслойное расщепление верхней хаббардовской зоны квазичастиц проявляется в виде двух пиков с температурами, меньшими максимальной <i>Т</i><i>с</i><i> </i>в однослойном купрате. Выяснено, что межслойные магнитные корреляции антиферромагнитного характера подавляют межслойное расщепление, что вероятно и приводит к единой концентрационной зависимости <i>Т</i><i>с</i><i> </i>для однослойных и двухслойных купратов.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Выпуск журнала: Т.93, 6

Номера страниц: 372-377

ISSN журнала: 0370274X

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Авторы

  • Макаров H.A. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. М.Ф. Решетнева)
  • Овчинников С.Г. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отд. РАН)

Вхождение в базы данных