ОСОБЕННОСТИ МОДЕЛИРОВАНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В ТЕЛЛУРИДЕ КАДМИЯ ПРИ ЭЛЕКТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИ : научное издание

Описание

Перевод названия: SIMULATION FEATURES IN FORMING STRUCTURAL DEFECTS IN CADMIUM TELLURIDE UNDER ELECTRON IRRADIATION

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2015

Ключевые слова: Cadmium telluride, semiconductor materials, Electron irradiation, кадмий теллур, полупроводниковые материалы, облучение электронами

Аннотация: Теллурид кадмия (CdTe), входящий в класс полупроводниковых материалов A 2B 6 (солнечные элементы), значимый материал космической техники. Он применяется для создания солнечных батарей, детекторов ионизирующего излучения, фотоприемников. В ближайшей перспективе, при развитии солнечной энергетики в космической технике, он будет крайнПоказать полностьюе необходим ввиду его особенных свойств. Однако при работе в открытом космосе данный материал склонен к деградации из-за эволюции дефектной сети. Cadmium telluride (CdTe) belongs to a class of semiconductor materials A 2B 6 (solar cells), that is an important space technology material. It is used to create solar cells, ionizing radiation detectors, photodetectors. In a short term, the development of solar energy in space technology is extremely necessary, in view of its special properties. However, when operating in the open space, the material is prone to degradation due to defective network evolution.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1, 19

Номера страниц: 534-535

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Персоны

  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Мозжерин А.В. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Паклин Н.Н. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных