СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Описание

Перевод названия: METHOD OF SILICON CRYSTALS GROWTH

Тип публикации: патент

Год издания: 2010

Аннотация:

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для выращивания кристаллов кремния из кварцевых тиглей по методу Чохральского. Способ включает плавление, выращивание кристалла кремния из расплава в камере печи 2 с последующим охлаждением и удалением остатков расплава кремния из тигля 1 путем создания перепада давления между камерой печи 2 и камерой 5 резервуара-хранилища 4 с одновременным перекачиванием остатков расплава кремния по трубке 3, один конец которой помещают в остаток расплава в тигле 1, а другой конец - в водоохлаждаемый резервуар-хранилище 4, при этом остаток расплава кремния, оставленный в кварцевом тигле, не должен превышать 10 мм. Технический результат изобретения заключается в сокращении затрат за счет исключения разрушения кварцевых тиглей и увеличения кратности их использования, а также возможности вторичного использования остатков кремния при последующем периодическом процессе выращивания кристаллов. 1 ил.

Ссылки на полный текст

Авторы

  • Леонов Виктор Васильевич (Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский федеральный университет")

Вхождение в базы данных