Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2015

Идентификатор DOI: 10.1134/S106378261504017X

Журнал: Semiconductors

Выпуск журнала: Т. 49, № 4

Номера страниц: 423-427

ISSN журнала: 10637826

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Pleiades Publishing, Ltd. (Плеадес Паблишинг, Лтд)

• Parshin A.S. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
• Igumenov A.Y. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
• Mikhlin Y.L. (Institute of Chemistry and Chemical Technology, Russian Academy of Sciences, Siberian branch)
• Pchelyakov O.P. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch)
• Nikiforov A.I. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch)
• Timofeev V.A. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК