ОБРАЗОВАНИЕ ПРИМЕСНЫХ ВЫДЕЛЕНИЙ В ЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ ZnSe

Описание

Перевод названия: Precipitates formation in ZnSe doped single crystals

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Ключевые слова: селенид цинка, полупроводниковые материалы, просвечивающая электронная микроскопия, zinc selenide, semiconductor materials, transmission electron microscopy

Аннотация: Исследованы особенности дефектообразования в легированных и нелегированных монокристаллах ZnSe. Установлено, что при отжиге в легированных полупроводниках образуются примесные выделения на ростовых дислокациях и дефектах упаковки, при этом происходит перемещение дислокаций. Образование примесных выделений (преципитатов) на ростовыхПоказать полностьюдефектах объясняется миграцией примесей и точечных дефектов на дислокации с формированием пересыщенного твердого раствора, который конденсируется в виде преципитатов, содержащих легирующую примесь. The structural defect formation in doped and undoped ZnSe single crystals is studied. It is found that under annealing in doped semiconductors impurity precipitates are formed on the growth dislocations and stacking faults, this is accompanied by the movement of dislocations. The formation of impurity precipitates on growth defects attributed to migration of impurities and point defects to the dislocations to form a supersaturated solid solution, which condenses in the form of precipitates containing dopant.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1, 20

Номера страниц: 592-593

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

Вхождение в базы данных