ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В СУЛЬФИДЕ ЦИНКА

Описание

Перевод названия: Defect FORMATION in zinc sulfide

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Ключевые слова: сульфид цинка, полупроводниковые материалы, просвечивающая электронная микроскопия, zinc sulfide, semiconductor materials, transmission electron microscopy

Аннотация: Рассмотрены особенности дефектообразования в сульфиде цинка (ZnS), который используется для создания люминофоров, полупроводниковых лазеров, а также для детекторов регистрации ионизирующего излучения. Однако данный материал имеет невысокое значение энергии дефекта упаковки (ЭДУ), что говорит о быстром росте дефектной сети и деградаПоказать полностьюции материала при работе в неблагоприятных условиях. The structural defect formation in zinc sulfide (ZnS) used to create luminophores, semiconductor lasers and detectors for registration of ionizing radiation are discussed. However this material has a low value of the stacking fault energy (SFE) and indicates the rapid growth of the defect network and material degradation when operating in adverse conditions

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Актуальные проблемы авиации и космонавтики

Выпуск журнала: Т. 1, 12

Номера страниц: 325-326

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Персоны

Вхождение в базы данных