Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2012

Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гПоказать полностьюистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Письма в Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т.38, 1

Номера страниц: 27-36

ISSN журнала: 03200116

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Авторы

  • Терещенко О.Е. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
  • Варнаков С.Н. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
  • Рауцкий М.В. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
  • Волков Н.В. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск)
  • Овчинников С.Г. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
  • Латышев А.В. (Новосибирск Новосибирский государственный университет)
  • Паулиш А.Г. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
  • Неклюдова М.А. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
  • Шамирзаев Т.С. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
  • Ярошевич А.С. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
  • Просвирин И.П. (Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск)
  • Жаксылыкова И.Э. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
  • Дмитриев Д.В. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
  • Торопов А.И. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)

Вхождение в базы данных