МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ СКОПЛЕНИЙ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ТЕЛЛУРИДЕ КАДМИЯ ПРИ ЭЛЕКТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИ

Описание

Перевод названия: Features simulation of the forming structural defects in Cadmium telluride under electron irradiation

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Ключевые слова: кадмий теллур, полупроводниковые материалы, облучение электронами, Cadmium telluride, semiconductor materials, Electron irradiation

Аннотация: Теллурид кадмия (CdTe) перспективный материал для космической техники. Он применяется для создания солнечных батарей, детекторов ионизирующего излучения, фотоприемников. В ближайшей перспективе, при развитии солнечной энергетики в космической технике, он будет крайне необходим, в виду его особенных свойств. Однако при работе в открПоказать полностьюытом космосе, данный материал склонен к деградации из-за эволюции дефектной сети. Cadmium telluride (CdTe) perspective material for space applications. It is used to create solar cells, ionizing radiation detectors, photodetectors. In the short term, the development of solar energy in space technology, it is extremely necessary, in view of its special properties. However, when operating in the open space, the material is prone to degradation due to defective network evolution.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Актуальные проблемы авиации и космонавтики

Выпуск журнала: Т. 1, 12

Номера страниц: 327-328

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Персоны

  • Мозжерин А.В. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Паклин Н.Н. (Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных